第1285章
1980年左右,中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机,于1981年研制成功两台样机。
而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机,相比之下,中国落后了将近20年,同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻,此时中国科学界也认识到,分布投影光刻技术的优越性,但限于国内工业技术差难以实现。
在1978年世界上第1台DSW光刻机问世不久,机电部第45所,就开始跟踪研究分步式光刻机,对标美国的4800DSW,1985年研制出了BG-101分部光刻机样机,并通过电子部技术鉴定,认为达到了美国同类产品水平,而当时采用的是436纳米G线光源。
这也就意味着1985年的时候,中国在高科技领域与国外的差距拉近到了7年左右,也就是达到了美国1978年的水平。
可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年代后期起不直到80年代,后期技术一直在推进,并且取得了一定的代表性成果。
然而到了80年代中后期,中国却因为技术封锁以及买办思想盛行,造成了光刻机的落后。
当时的巴统协议不批准向中国出售先进的设备,国外工艺线已用0.5微米的设备时,却只对我国出口1.5微米的设备,整整差了三代,此外8组还规定对我国出口的光刻机镜头na必须小于0.17,既只能有二微米以上的分辨率。
所以说目前段云从日本东芝引进的三微米芯片制程生产线,是正好符合巴统协议要求的,而目前日本最先进的0.9微米制程的芯片生产线,是巴统协议严格禁止对中国出口的。
段云如果想制作出一微米制程的芯片,目前是不可能从国外直接买到现成设备的,只能靠国内研发。
因为买办思想的盛行,当时中国的光刻机虽然技术领先,但是也遇到很多的问题,因为搞研发就需要有很多的资金投入,但这些资金投入之后,有一些技术上的问题,在当时又不能够很好的解决,因此看到国外很多先进的设备之后,国家也就放弃了,对设备的研发变成了购买。
这样最终就导致了中国的光刻机研发上完全停滞,很多搞光刻机研发公司因为没有资金的支持就变得岌岌可危,最后公司也倒闭破产。
段云如果想制作出世界领先的NAND闪存芯片,并且在闪存芯片领域保持长期的优势地位,那就必须要有更先进的光刻机。
在摩尔定律下,每18个月集成电路上可容纳的晶体管数目就会增加一倍,这就需要生产芯片的光刻机保持迭代。
段云可以选择投资开发国产光刻机,但投入的资金比较大,而且周期也比较长,有点远水解不了近渴
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